NASICON(NaSuperlonicConductor)结构的锂陶瓷电解质具有较高的离子电导率，30~C时可达lXl0-5S／cm[103，其母体为NaZrzP：Olz。组成可用通式M(A2B：012)表示，M、A、B分别代表单价、四价和五价阳离子，由于M(A2B：Olz)中的M位置可以是Ag+、Kf、Na+或Li+，A位置可被多种金属阳离子(如Ti、Ge、Zr、Hf、V、Sc等)占据，BO厂聚阴离子可以是P、Si或Mo等，并且A、B位置的离子可被其它金属离子部分取代，因此，具有NASICON结构的化合物种类繁多，组成多变。这种结构中的阴离子骨架[A2Bs012]—由A06八面体和B04四面体共用顶角组成，每个A06八面体连接6个B04四面体，每个B04四面体连接4个A06八面体，M十可位于两种不同的间隙位置，分别称之为M工和MⅡ。如图8—l所示L33~38]，每个M工位于2个A06八面体之间，与6个氧键合，并被6个MⅡ包围，而MⅡ处于导电通道的拐弯处，与8个氧键合。M工位的势能较MⅡ低，故在化学计量比为M(AzBsOlz)的NASICON结构中，M工位全部被M十占满，而MⅡ位未被占据c，9)。这种电解质中的M+迁移是通过缺陷跃迁完成的。在NASICON结构中，M十的迁移路径有两种：一种是通过M工MⅡ瓶颈的MI—MⅡ跃迁，该瓶颈是由3个氧原子组成的等腰三角形；另一种是通过MⅡMⅡ瓶颈的MⅡ一MⅡ跃迁，每个MⅡ周围有两组4MⅡ(邻近4个MⅡ为一组)，由于其中一组4MⅡ含有一个可阻止M跃迁的氧原子，因此从一给定的MⅡ位只有一组4M口可跃迁。价键研究表明，NASIC()N结构中两种离子迁移路径均对导电性有贡献。