钜大LARGE | 点击量：942次 | 2019年08月20日
关于MOSFET驱动电阻的选择
L为pCB走线电感，根据他人经验其值为直走线1nH/mm，考虑其他走线因素，取L=Length+10（nH），其中Length单位取mm。
Rg为栅极驱动电阻，设驱动信号为12V峰值的方波。
Cgs为MOSFET栅源极电容，不同的管子及不同的驱动电压时会不一样，这儿取1nF。
VL+VRg+VCgs=12V
计算式
这是个3阶系统，当其极点为3个不同实根时是个过阻尼震荡，有两个相同实根时是临界阻尼震荡，当有虚根时是欠阻尼震荡，此时会在MOSFET栅极产生上下震荡的波形，这是我们不希望看到的，因此栅极电阻Rg阻值的选择要使其工作在临界阻尼和过阻尼状态，考虑到参数误差实际上都是工作在过阻尼状态。
根据以上得到
计算式
因此根据走线长度可以得到Rg最小取值范围。
等效驱动电路图
分别考虑20m长m和70mm长的走线：L20=30nH，L70=80nH，则Rg20=8.94Ω，Rg70=17.89Ω，
以下分别是电压电流波形：
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