钜大LARGE | 点击量：750次 | 2020年04月10日
晶体硅太阳能储能电池激光边缘绝缘化处理
伴随着晶体硅太阳能电池产业的稳步发展，激光一直被认为是提高电池质量和降低制造成本的重要工具。激光加工在诸如激光烧蚀电极（LFC）、激光刻槽掩埋栅电极（LGBC）、以及M/EWT等应用上升显著，目前在晶体硅太阳能电池制造中应用最广泛的激光工艺之一是激光边缘绝缘处理。
c-Si电池制造过程中N型离子掺杂/扩散到P型硅基体形成微米级的N型掺杂膜层，这个膜层包围了整个晶圆片，从而造成了电池前后两面电极的分流，为了防止分流就必须对电池边缘进行绝缘化处理。
典型的激光边缘绝缘化处理是通过在尽可能靠近太阳能电池外缘的周围进行刻划沟槽来实现。为了获得最佳的绝缘效果，沟槽的深度必须大于离子扩散层，典型的沟槽深度为10-20um，宽度为20-40um。尽管Spectra-Physics激光器产品中有众多型号能胜任绝缘处理工作，但是加工速度最快，质量最高的还是最新的调Q全固态激光器系列，其中首选为Pulseo355-20。
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