Diodes芯片级双向MOSFET可帮助提高锂电池容量

　　Diodes公司（DiodesIncorporated）推出双向MOSFETDMN2023UCB4，提供超卓的单电芯及双电芯锂电池充电保护。DMN2023UCB4的低导通电阻可降低功耗，纤薄的芯片级封装则使设计人员能利用省下来的空间来提高电池容量。新产品的目标终端市场包括智能手机、平板电脑、照相机、可携式媒体播放器，以及尺寸、重量和电池寿命都对其至关重要的同类型消费性产品。

　　DMN2023UCB4的RSS（on）少于26mΩ，旨在以最低的导通电阻来减低功耗。此外，其双N通道共汲极组态特别适合一般使用低侧电池开关的充电电路，从而满足单电芯及双电芯锂电池的要求。至于要求高端连接的应用，Diodes公司也推出了DMP2100UCB9，提供双P通道共源MOSFET设计。

　　这款新一代双向MOSFET凭藉这些功能，加上占位面积仅1.8mmx1.8mm、厚度少于0.4mm的芯片级封装，非常适合注重外形小巧的电池管理、负载开关及电池保护应用。其他功能还包括少于1V的闸极临限电压，有助于全面提升通道在低电压下操作的效能，以及防止静电放电电压超过2kV的闸极保护能力。