专业定制医疗锂电池
18年专注锂电池定制
机器人电池定制
低温锂电池

单晶硅的主要制备方法比较

钜大LARGE  |  点击量:1005次  |  2019年08月06日  

摘要
硅单晶的制备方法:按拉制方法不同分为无坩埚区熔(FZ)法与有坩埚直拉(CZ)法。区熔拉制的单晶不受坩埚污染,纯度较高,适于生产电阻率高于20欧/厘米的N型硅单晶... 关键字:单晶硅 坩埚污染 电阻率 硅单晶 含氧量。

硅单晶的制备方法:按拉制方法不同分为无坩埚区熔(FZ)法与有坩埚直拉(CZ)法。区熔拉制的单晶不受坩埚污染,纯度较高,适于生产电阻率高于20欧/厘米的N型硅单晶(包括中子嬗变掺杂单晶)和高阻 P型硅单晶。由于含氧量低,区熔单晶机械强度较差。大量区熔单晶用于制造高压整流器、晶体闸流管、高压晶体管等器件。直接法易于获得大直径单晶,但纯度低于区熔单晶,适于生产20欧/厘米以下的硅单晶。由于含氧量高,直拉单晶机械强度较好。大量直拉单晶用于制造MOS集成电路、大功率晶体管等器件。外延片衬底单晶也用直拉法生产。硅单晶商品多制成抛光片,但对FZ单晶片与CZ单晶片须加以区别。外延片是在硅单晶片衬底(或尖晶石、蓝宝石等绝缘衬底)上外延生长硅单晶薄层而制成,大量用于制造双极型集成电路、高频晶体管、小功率晶体管等器件。 目前,市场上所供应的单晶硅多是以有坩埚直拉(CZ)法制备而成的,下面是直拉硅单晶生长控制主要过程示意图:


点击阅读更多 v
立即咨询
钜大精选

钜大核心技术能力